| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其中在半导体本体(1)的表面(3)处，在与单晶硅区域(4)相邻设置的氧化硅区域(5)上形成非单晶辅助层(8)。该辅助层是用两个工艺步骤形成的。在第一工艺步骤中，在具有砷化合物的气氛中加热硅体；在第二工艺步骤中，在包括气态硅化合物而不是所述气态砷化合物的气氛中进行加热。因此，氧化硅区域用自对准方式设有非晶或多晶硅籽层。 | ||
| 申请公布号 | CN1729555A | 申请公布日期 | 2006.02.01 |
| 申请号 | CN200380107111.2 | 申请日期 | 2003.12.16 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | P·H·C·马格尼;J·J·T·M·当克斯;X·史 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，其中在半导体本体的表面处，在与单晶硅区域相邻设置的氧化硅区域上形成非单晶辅助层，其特征在于辅助层是用两个工艺步骤形成的，其中在第一工艺步骤期间，通过在具有砷化合物的气氛中加热半导体本体，而在单晶硅区域上形成砷层，并且在第二工艺步骤期间，通过在包括气态硅化合物而不是气态砷化合物的气氛中加热半导体本体，在氧化硅区域上形成作为辅助层的非单晶硅层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||