Technik zum Übertragen von Verformung in ein Halbleitergebiet

摘要

Ein Dislokationsgebiet wird durch Implantieren einer leichten inerten Gattung, etwa Wasserstoff, bei einer spezifizierten Tiefe und mit einer hohen Konzentration und durch Wärmebehandeln der inerten Gattung gebildet, um damit "Nano"-Blasen zu erzeugen, die eine gewisse mechanische Entkopplung zu darunter liegenden Bauteilgebieten ermöglichen, wodurch ein effizienteres Erzeugen von Verformung ermöglicht wird, die durch eine externe spannungserzeugende Quelle hervorgerufen wird. Auf diese Weise kann in einem Kanalgebiet eines Feldeffekttransistors eine Verformung durch beispielsweise eine Spannungsschicht oder Seitenwandabstandselemente, die in der Nähe des Kanalgebiets ausgebildet sind, erzeugt werden.