半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，在单片形成HEMT和电阻元件时，电阻元件由于含有盖层，故薄膜电阻值低，在形成高的电阻值的电阻时，需要在芯片内长距离内回绕电阻，使芯片面积增大。以规定的形状设置除去盖层的凹槽部，在凹槽部两端连接电阻元件电极。由于电阻层仅为沟道层，且薄膜电阻值高，故可以以短的距离得到高的电阻值。由于不在芯片内在长的距离内回绕设置电阻既可得到足够高的电阻值，故可缩小芯片尺寸。

主权项

1、一种半导体装置，在半导体衬底上层积缓冲层、电子供给层、沟道层、阻挡层及作为盖层的半导体层，并将有源元件及电阻元件形成单片，其特征在于，包括：以规定的图案除去所述盖层并使该盖层下的所述半导体层露出的凹槽部；分别和所述凹槽部两端的所述盖层连接的电阻元件电极。