| 摘要 |
本发明揭示一种在电浆处理系统中蚀刻基板之方法。该基板具有一半导体层、位于该半导体层上之第一阻隔层、位于该第一阻隔层上之低k层、位于该低k层上之第三硬遮罩层；位于该第三硬遮罩层上之第二硬遮罩层，以及位于该第二硬遮罩层上之第一硬遮罩层。该方法或者包括以第一蚀刻剂与第二蚀刻剂蚀刻该基板，其中该第一蚀刻剂对于第一硬遮罩层之第一硬遮罩材料、第三硬遮罩层之第三硬遮罩材料以及第一阻隔层之第一阻隔层材料具有低度选择性，但是对于第二硬遮罩层之第二硬遮罩材料具有高度选择性；且其中第二蚀刻剂对于该第一硬遮罩层之第一硬遮罩材料、该第三硬遮罩层之第三硬遮罩材料以及该第一阻隔层之第一阻隔层材料具有高度选择性，且第二蚀刻剂对于该第二硬遮罩层之第二硬遮罩材料具有低度选择性。 |
