| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明，当氮化处理硅基板表面时，在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板，控制为硅基板表面的电子密度是1e+7(个·cm<SUP>－3</SUP>)～1e+9(个·cm<SUP>－3</SUP>)。根据本发明，有效地抑制了硅基板和氮化膜的劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN1714430A | 申请公布日期 | 2005.12.28 |
| 申请号 | CN200380103808.2 | 申请日期 | 2003.11.20 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 中西敏雄;西田辰夫;尾崎成则 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1、一种等离子体处理装置，对配置在处理容器内的硅基板，使用等离子体进行氮化处理，其特征在于：在等离子体产生部和所述硅基板之间配置具有开口部的隔板。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||