| 主权项 |
1.一种黏晶方法,系用以将晶片透过胶黏层黏结于晶片承载件之预置区上,该方法主要包括:藉由晶片取放单元移置该晶片于该预置区上;以及藉由平坦单元平压该晶片,以排出晶片与预置区间之空气,并使晶片透过胶黏层而与该预置区紧密结合。2.如申请专利范围第1项之黏晶方法,其中,该平坦单元系具有压制平面用以平压该晶片。3.如申请专利范围第1项之黏晶方法,其中,该平坦单元系包括一升降机构及一平坦压头,该平坦压头底面形成一压制平面用以平压该晶片。4.如申请专利范围第1项之黏晶方法,其中,该晶片系为薄型晶片。5.如申请专利范围第4项之黏晶方法,其中,该薄型晶片之厚度系介于50m至100m之间。6.如申请专利范围第1项之黏晶方法,复包括一加热固化该胶黏层之加热步骤。7.如申请专利范围第6项之黏晶方法,其中,该加热步骤系与平压该晶片之步骤同时进行。8.如申请专利范围第6项之黏晶方法,其中,该加热步骤系接续于平压该晶片之步骤后进行。9.如申请专利范围第1项之黏晶方法,复包括一于晶片承载件之预置区上形成该胶黏层之步骤。10.如申请专利范围第9项之黏晶方法,其中,系藉一点胶单元于晶片承载件之预置区上涂布胶黏剂而形成该胶黏层。11.如申请专利范围第10项之黏晶方法,其中,该胶黏剂系为银胶。12.如申请专利范围第9项之黏晶方法,其中,系于晶片承载件之预置区上贴设一胶片而形成该胶黏层。13.如申请专利范围第12项之黏晶方法,其中,该胶片系为双面胶片。14.如申请专利范围第1项之黏晶方法,复包括一于晶片底面形成该胶黏层之步骤。15.如申请专利范围第14项之黏晶方法,其中,系于晶片底面贴设一胶片而形成该胶黏层。16.如申请专利范围第15项之黏晶方法,其中,该胶片系为双面胶片。17.如申请专利范围第1项之黏晶方法,其中,该晶片承载件系为基板。18.如申请专利范围第1项之黏晶方法,其中,该晶片承载件系为导线架。19.如申请专利范围第1项之之黏晶方法,其中,该晶片取放单元系具有一真空吸嘴用以吸附该晶片。20.一种黏晶方法,系用以将复数晶片透过胶黏层对应黏结于一晶片承载件之复数预置区上,该方法主要包括:藉由晶片取放单元移置各该晶片于对应之预置区上;以及藉由平坦单元同时平压各晶片,以排出晶片与预置区间之空气,并使各晶片透过胶黏层而与对应之预置区紧密结合。21.如申请专利范围第20项之黏晶方法,其中,该平坦单元系具有压制平面用以平压各晶片。22.如申请专利范围第20项之黏晶方法,其中,该平坦单元系包括一升降机构及一平坦压头,该平坦压头底面形成一压制平面用以同时平压各晶片。23.如申请专利范围第20项之黏晶方法,其中,该晶片系为薄型晶片。24.如申请专利范围第23项之黏晶方法,其中,该薄型晶片之厚度系介于50m至100m之间。25.如申请专利范围第20项之黏晶方法,复包括一加热固化该胶黏层之加热步骤。26.如申请专利范围第25项之黏晶方法,其中,该加热步骤系与平压该晶片之步骤同时进行。27.如申请专利范围第25项之黏晶方法,其中,该加热步骤系接续于平压该晶片之步骤后进行。28.如申请专利范围第20项之黏晶方法,复包括一于晶片承载件之预置区上形成该胶黏层之步骤。29.如申请专利范围第28项之黏晶方法,其中,系藉一点胶单元于晶片承载件之预置区上涂布胶黏剂而形成该胶黏层。30.如申请专利范围第29项之黏晶方法,其中,该胶黏剂系为银胶。31.如申请专利范围第28项之黏晶方法,其中,系于晶片承载件之预置区上贴设一胶片而形成该胶黏层。32.如申请专利范围第31项之黏晶方法,其中,该胶片系为双面胶片。33.如申请专利范围第20项之黏晶方法,复包括一于晶片底面形成该胶黏层之步骤。34.如申请专利范围第33项之黏晶方法,其中,系于晶片底面贴设一胶片而形成该胶黏层。35.如申请专利范围第34项之黏晶方法,其中,该胶片系为双面胶片。36.如申请专利范围第20项之黏晶方法,其中,该晶片承载件系为基板。37.如申请专利范围第20项之黏晶方法,其中,该晶片承载件系为导线架。38.如申请专利范围第20项之之黏晶方法,其中,该晶片取放单元系具有一真空吸嘴用以吸附该晶片。39.一种黏晶装置,系用以将晶片透过胶黏层黏结于晶片承载件之预置区上,该装置主要包括:一晶片取放单元,用以移置该晶片于该预置区上;以及一平坦单元,用以平压该晶片,以排出晶片与预置区间之空气,并使晶片透过胶黏层而与该预置区紧密结合。40.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该平坦单元系具有一用以平压该晶片之压制平面。41.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该平坦单元系包括一升降机构及一平坦压头,该平坦压头底面形成一压制平面用以平压该晶片。42.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该晶片系为薄型晶片。43.如申请专利范围第42项之黏晶装置,其中,该薄型晶片之厚度系介于50m至100m之间。44.如申请专利范围第39项之黏晶装置,复包括一用以载送晶片承载件至各单元对应位置之输送单元。45.如申请专利范围第44项之黏晶装置,其中,该输送单元上系载送至少一个用以定位设置该晶片承载件之承载盘。46.如申请专利范围第39项之黏晶装置,复包括一用以加热固化该胶黏层之加热单元。47.如申请专利范围第46项之黏晶装置,其中,该加热装置系设置于平坦单元之下方,用以于平坦单元平压该晶片之同时加热固化该胶黏层。48.如申请专利范围第46项之黏晶装置,其中,该加热装置系设置于平坦单元之后,用以于平坦单元平压该晶片之后加热固化该胶黏层。49.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该胶黏层系形成于该晶片底面。50.如申请专利范围第49项之黏晶装置,其中,该胶黏层系由一贴设于晶片底面之胶片所构成。51.如申请专利范围第50项之黏晶装置,其中,该胶片系为双面胶片。52.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该胶黏层系形成于该晶片承载件之预置区上。53.如申请专利范围第52项之黏晶装置,复包括一点胶单元,用以于该预置区上涂布胶黏剂而形成该胶黏层。54.如申请专利范围第53项之黏晶装置,其中,该胶黏剂系为银胶。55.如申请专利范围第52项之黏晶装置,其中,该胶黏层系由一贴设于该预置区上之胶片所构成。56.如申请专利范围第55项之黏晶装置,其中,该胶片系为双面胶片。57.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该晶片承载件系为基板。58.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该晶片承载件系为导线架。59.如申请专利范围第39项之黏晶装置,其中,该晶片取放单元系具有一用以吸附该晶片之真空吸嘴。60.如申请专利范围第59项之黏晶装置,其中,该该晶片取放单元复具有一结合于该真空吸嘴之机械手臂。61.一种黏晶装置,系用以将复数晶片透过胶黏层对应黏结于一晶片承载件之复数预置区上,该装置主要包括:一晶片取放单元,用以移置各该晶片于对应之预置区上;以及一平坦单元,用以同时平压各晶片,以排出各晶片与预置区间之空气,并使各晶片透过胶黏层而与对应之预置区紧密结合。62.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该平坦单元系具有一用以同时平压各晶片之压制平面。63.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该平坦单元系包括一升降机构及一平坦压头,该平坦压头底面形成一压制平面用以同时平压各晶片。64.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该晶片系为薄型晶片。65.如申请专利范围第64项之黏晶装置,其中,该薄型晶片之厚度系介于50m至100m之间。66.如申请专利范围第61项之黏晶装置,复包括一用以载送晶片承载件至各单元对应位置之输送单元。67.如申请专利范围第66项之黏晶装置,其中,该输送单元上系载送至少一个用以定位设置该晶片承载件之承载盘。68.如申请专利范围第61项之黏晶装置,复包括一用以加热固化该胶黏层之加热单元。69.如申请专利范围第68项之黏晶装置,其中,该加热装置系设置于平坦单元之下方,用以于平坦单元平压各晶片之同时加热固化各该胶黏层。70.如申请专利范围第68项之黏晶装置,其中,该加热装置系设置于平坦单元之后,用以于平坦单元平压各晶片之后加热固化各胶黏层。71.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该胶黏层系形成于该晶片底面。72.如申请专利范围第71项之黏晶装置,其中,该胶黏层系由一贴设于晶片底面之胶片所构成。73.如申请专利范围第72项之黏晶装置,其中,该胶片系为双面胶片。74.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该胶黏层系形成于该晶片承载件之预置区上。75.如申请专利范围第74项之黏晶装置,复包括一点胶单元,用以于该预置区上涂布胶黏剂而形成该胶黏层。76.如申请专利范围第75项之黏晶装置,其中,该胶黏剂系为银胶。77.如申请专利范围第74项之黏晶装置,其中,该胶黏层系由一贴设于该预置区上之胶片所构成。78.如申请专利范围第77项之黏晶装置,其中,该胶片系为双面胶片。79.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该晶片承载件系为基板。80.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该晶片承载件系为导线架。81.如申请专利范围第61项之黏晶装置,其中,该晶片取放单元系具有一用以吸附该晶片之真空吸嘴。82.如申请专利范围第81项之黏晶装置,其中,该该晶片取放单元复具有一结合于该真空吸嘴之机械手臂。图式简单说明:第1A至1D图系显示习用黏晶技术之流程示意图;第2A及2B图系显示习用薄型晶片之黏晶技术之示意图;第3A至3C图系显示本发明黏晶技术之第一实施例流程示意图;以及第4A至4C图系显示本发明黏晶技术之第二实施例流程示意图。 |
