| 主权项 |
1.一种形成一电路装置之方法,包含:形成一具有一沟道区之电晶体装置;植入一第一晕进入该沟道区,其中该沟道区之第一晕浓度为一相当于该沟道区之材料中第一晕材料之固态溶度之量;及植入与该第一晕不同之一第二晕进入该沟道区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一晕包含铟。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二晕之量系选择以达到一漏电电流小于如仅植入该第一晕达到之最小漏电电流。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该第二晕包含硼。5.一种形成一电路装置之方法,包含:植入一第一晕进入一电晶体之装置之一沟道区,其中该在沟道区第一晕之浓度为一相当于该沟道区之材料中第一晕材料之固态浓度之量;及植入该沟道区第二不同晕,其量足可达成一该装置之目标临界电压。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一晕包含铟。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该第二晕包含硼。8.一种形成一电路装置之方法,包含:根据一目标闸长度,在一基板上形成复数个电晶体:植入一第一晕进入每一复数个电晶体之沟道区,其中该沟道区第一晕之浓度相当于该沟道区材料中第一晕材料固态浓度之量;及植入该第二晕进入每一复数个电晶体之沟道区,植入量足够达到自该目标闸长度之最坏情沉可接受闸长度之一目标临界电压。9.如申请专利范围第8项方法,其中该第一晕包含铟。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二晕包含硼。11.一种电路装置,包含:在一基板上形成之一闸电极;在该基板上闸电极之下及在接点之间之基板中形成之一沟道区;一第一晕植入包含该沟道区中之一第一种类,其中该沟道区中之第一晕浓度为一相当于该沟道区材料中第一晕材料之固态浓度之量;及一第二晕植入包含与在该沟道区之一不同第二种类。12.如申请专利范围第11项之电路装置,其中该第一晕包含铟。13.如申请专利范围第11项之电路装置,其中该第二晕包含硼。14.如申请专利范围第1项之方法,其中,植入该第一晕进入该沟道区系以倾斜角约25度至约30度完成。15.如申请专利范围第5项之方法,其中,植入该第一晕进入该沟道区系以倾斜角约25度至约30度完成。16.如申请专利范围第8项之方法,其中,植入该第一晕进入该沟道区系以倾斜角约25度至约30度完成。图式简单说明:图1显示包括具有第一晕植入之电晶体电路一部分之剖面图;图2显示在第二晕植入后图1之装置;图3显示基板中之晕浓度与选择漏电电流之闸长度之曲线代表;图4显示在矽基板中P-型掺杂剂之掺杂剂浓度;图5显示矽基板之临界电压与P-型掺杂剂浓度之代表曲线;图6显示P-型掺杂剂之漏电电流与临界电压之曲线代表;图7显示一NMOSFET装置之临界电压与闸长度之曲线代表。图8显示一NMOSFET之漏电电流与闸长度之曲线代表;图9显示基板上装置数与闸长度曲线代表;图10显示基板上数装置之驱动电流与闸长度之曲线代表;图11显示一电晶体装置之驱动电流与漏电电流之曲线代表。 |
