| 主权项 |
1.一种薄晶片(thin wafer)承载装置,可供薄晶片置于该装置上,其包含一多层堆叠之复合材料板体,其中该复合材料板体系包含有强化材料及高分子树脂,且由一层金属薄膜包覆,又该承载装置分布有复数个微细穿孔,而可以真空吸附方式,使薄晶片紧密贴于承载装置上。2.如申请专利范围第1项所述之薄晶片承载装置,其中该强化材料包含有玻璃纤维、碳纤维或有机纤维,该高分子树脂包含热固性树脂或热塑性树脂。3.如申请专利范围第1项所述之薄晶片承载装置,其中该承载装置系呈一圆盘状。4.如申请专利范围第1项所述之薄晶片承载装置,其中该金属薄膜系由导电性良好之金属所构成。5.如申请专利范围第4项所述之薄晶片承载装置,其中该金属薄膜系为纯金或铜。6.如申请专利范围第1项所述之薄晶片承载装置,其中分布于该承载装置之穿孔系可供一设于该薄晶片承载装置下方之真空吸取装置,使产生真空吸附作用,令薄晶片紧密贴于承载装置上。7.如申请专利范围第1项所述之薄晶片承载装置,其中该穿孔之孔径大小适于薄晶片之真空吸附,以利薄晶片之测试、传输及处理。8.如申请专利范围第7项所述之薄晶片承载装置,其中该穿孔之孔径为0.1 mm。9.一种薄晶片(thin wafer)承载方法,其步骤包含:a.提供一承载装置,该装置包含一多层堆叠之复合材料板体,该板体包含有强化材料及高分子树脂,且由一层金属薄膜包覆,又复数个微细穿孔分布于该承载装置;b.将一薄晶片置于该承载装置上;以及c.将该承载装置置于一真空吸取装置上,以真空吸附方式,使薄晶片紧密贴于承载装置。10.如申请专利范围第9项所述之薄晶片承载方法,其中该强化材料包含有玻璃纤维、碳纤维或有机纤维,该高分子树脂包含热固性树脂或热塑性树脂。11.如申请专利范围第9项所述之薄晶片承载方法,其中该承载装置系呈一圆盘状。12.如申请专利范围第9项所述之薄晶片承载方法,其中该金属薄膜系由导电性良好之金属所构成。13.如申请专利范围第12项所述之薄晶片承载方法,其中该金属薄膜系为纯金或铜。14.如申请专利范围第9项所述之薄晶片承载方法,其中该穿孔之孔径大小适于薄晶片之真空吸附,以利薄晶片之测试、传输及处理。15.如申请专利范围第14项所述之薄晶片承载方法,其中该穿孔之孔径为0.1mm。图式简单说明:第1图系习知之薄晶片载体置于一真空吸取装置之示意图。第2图系传统作为薄晶片承载之铝材载体之示意图。第3A图系薄晶片置于铝材载体之剖面示意图。第3B图系第3A图之局部放大图。第4A图系本发明实施例之薄晶片承载装置之正视图。第4B图系本发明实施例之薄晶片承载装置之侧视图。第5图系碳化矽载体、铝材载体及本发明之薄晶片承载装置之特性比较表。 |
