磁性随机存取存储器及其读写数据的方法

摘要

本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。

主权项

1.一种磁性随机存取存储器，其利用了自发霍尔效应，该磁性随机存取存储器包括：形成在金属氧化物半导体晶体管上的加热部件，其中该加热部件连接到该金属氧化物半导体晶体管的源极；存储层，其一部分形成在该加热部件上，数据写入到该部分中；位线，其经过该存储层的写入数据的该部分；绝缘膜，其覆盖该位线和该存储层；以及写入线，其形成在该绝缘膜上，使得数据写入所需的磁场至少在该存储层的写入数据的该部分中形成。