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发明名称 Vorrichtung zur Herstellung elektrisch leitfähiger Durchgänge in einem Halbleiterwafer mittels Thermomigration
摘要
申请公布号 DE112004000543(D2) 申请公布日期 2005.12.15
申请号 DE200411000543 申请日期 2004.01.20
申请人 HTM REETZ GMBH;SILICON SENSOR GMBH 发明人 KUDELLA, FRANK;REETZ, ROLAND;ENSLEN, MARKO;RASEL, MARIO;SCHINDEL, KARSTEN;KRIEGEL, BERND
分类号 C30B31/10;C30B31/12;H01L21/00;(IPC1-7):H01L21/60;H01L21/324 主分类号 C30B31/10
代理机构 代理人
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