| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于得到一种能提高抗软故障的能力的半导体存储装置。在构成存储节点的P+扩散区FL110、FL120的附近形成对存储动作不起作用的虚拟的P+扩散区FL150，同时，在构成存储节点的N+扩散区FL210、FL220的附近形成对存储动作不起作用的虚拟的N+扩散区FL250。因此，可以使上述虚拟的N+扩散区FL250收集因α射线或中子射线的照射而在P阱区PW上产生的一部分电子，同时，使上述虚拟的P+扩散区FL150收集因α射线或中子射线的照射而在N阱区NW上产生的一部分空穴。 | ||
| 申请公布号 | CN1231976C | 申请公布日期 | 2005.12.14 |
| 申请号 | CN02118804.1 | 申请日期 | 2002.04.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 新居浩二;奥田省二 |
| 分类号 | H01L27/11;G11C11/34 | 主分类号 | H01L27/11 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，在由第1导电型的第1阱区、在上述第1阱区上形成的与上述第1导电型不同的第2导电型的第1杂质扩散区、与上述第1阱区相邻的上述第2导电型的第2阱区和在上述第2阱区上形成的上述第1导电型的第2杂质扩散区构成晶体管存储电路的半导体存储装置中，其特征在于：在上述第1阱区上形成不构成上述晶体管存储电路的上述第2导电型的第3杂质扩散区，在上述第2阱区上形成不构成上述晶体管存储电路的上述第1导电型的第4杂质扩散区。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||