| 主权项 |
1.一种制造三、五族化合物半导体层的方法,其步 骤如下: 于一反应室中,在一基板之上形成一第一三、五族 化合物半导体层;以及 于形成该第一三、五族化合物半导体层的步骤前 后供应一三族材料气体至该反应室之中,避免该三 族气体于该反应室中再蒸发。 2.如申请专利范围第1项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤包 括下面步骤:藉由供应该三族材料气体来形成一第 一过渡三、五族化合物半导体层。 3.如申请专利范围第1项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中形成该第一三、五族化合物半 导体层的步骤包括下面步骤:于第一基板温度处来 形成该第一三、五族化合物半导体层。 4.如申请专利范围第1项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤包 括下面步骤:于基板温度变成较佳温度以上时来供 应该三族材料气体。 5.如申请专利范围第4项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中该较佳温度系包含因该反应室 内所产生之反应产物的再蒸发而造成的晶体缺陷 及因迁移不足而造成的晶体缺陷等之晶体缺陷为 最少时的基板温度。 6.如申请专利范围第5项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤包 括下面步骤:在完成形成该第一三、五族化合物半 导体层之步骤以前,于基板温度变成较佳温度以上 时来供应该三族材料气体。 7.如申请专利范围第5项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤包 括下面步骤:在形成该第一三、五族化合物半导体 层之步骤以前,于基板温度变成较佳温度以上且该 基板温度提升至第一基板温度时来供应该三族材 料气体。 8.如申请专利范围第7项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤包 括下面步骤:于基板温度变成较佳温度以上且该基 板温度提升至第一基板温度时来供应一五族材料 气体和该三族材料气体。 9.如申请专利范围第3项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,进一步包括下面步骤:于第二基板 温度处在该反应室中来形成一第二三、五族化合 物半导体层, 其中供应该三族材料气体的步骤包括下面步骤:于 基板温度从第一基板温度变成第二基板温度时来 供应该三族材料气体。 10.如申请专利范围第9项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤包 括下面步骤:于基板温度从第一基板温度变成第二 基板温度时来供应一五族材料气体和该三族材料 气体。 11.如申请专利范围第1项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中该第一三、五族化合物半导体 层包括In和As中至少其中一者。 12.如申请专利范围第5项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中: 该基板系GaAs基板; 形成该第一三、五族化合物半导体层的步骤包括 下面步骤:于第一基板温度处在该GaAs基板之上形 成一GaAs缓冲层; 供应该三族材料气体的步骤包括下面步骤:于基板 温度变成较佳温度以上且该基板温度提升至第一 基板温度时来供应该三族材料气体。 13.如申请专利范围第12项之制造三、五族化合物 半导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤 包括下面步骤:供应形成该GaAs缓冲层之步骤所使 用的三族材料气体来作为该三族材料气体。 14.如申请专利范围第9项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中: 该基板系GaAs基板; 形成该第一三、五族化合物半导体层的步骤包括 下面步骤:于第一基板温度处在该GaAs基板之上形 成一第一GaAs缓冲层; 形成该第二三、五族化合物半导体层的步骤包括 下面步骤:于第二基板温度处形成一第二GaAs缓冲 层;以及 供应该三族材料气体的步骤包括下面步骤:于基板 温度从第一基板温度变成第二基板温度时来供应 该三族材料气体。 15.如申请专利范围第14项之制造三、五族化合物 半导体层的方法,其中供应该三族材料气体的步骤 包括下面步骤:供应形成该第一GaAs缓冲层之步骤 以及形成该第二GaAs缓冲层之步骤中至少其中一者 所使用的三族材料气体来作为该三族材料气体。 16.如申请专利范围第14项之制造三、五族化合物 半导体层的方法,进一步包括下面步骤:于高于第 一基板温度和第二基板温度中至少其中一者的基 板温度处在该反应室之中形成一第三三、五族化 合物半导体层。 17.如申请专利范围第9项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中形成该第二三、五族化合物半 导体层的步骤包括下面步骤:于停止供应该三族材 料气体10秒钟以内,利用该三族材料气体来形成一 第二三、五族化合物半导体层。 18.如申请专利范围第12项之制造三、五族化合物 半导体层的方法,其中进一步包括下面步骤:于该 GaAs缓冲层之上形成一(A1xGa1-x)yIn1-yP层(0≦x≦1、0 ≦y<1)。 19.如申请专利范围第18项之制造三、五族化合物 半导体层的方法,其中: 形成该GaAs缓冲层的步骤包括下面步骤:于第一基 板温度处利用一第一五族材料气体来形成该GaAs缓 冲层;以及 形成该(AlxGa1-x)yIn1-yP层(0≦x≦1、0≦y<1)的步骤包 括下面步骤:于第二基板温度处利用一第二五族材 料气体来形成一(AlxGa1-x)yIn1-yP层(0≦x≦1、0≦y<1), 进一步包括下面步骤:于低于第二基板温度的基板 温度处从第一五族材料气体切换成第二五族材料 气体。 20.如申请专利范围第1项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中形成该第一三、五族化合物半 导体层的步骤包括下面步骤:利用金属有机化学蒸 气况积法来形成该第一三、五族化合物半导体层 。 21.如申请专利范围第4项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中:该较佳温度为600℃。 22.如申请专利范围第4项之制造三、五族化合物半 导体层的方法,其中:该较佳温度为630℃。 23.一种制造一半导体发光元件的方法,其包括: 制造一三、五族化合物半导体层之步骤;以及 利用该三、五族化合物半导体层来形成一半导体 发光元件之步骤,其中: 制造该三、五族化合物半导体层之步骤如下: 于一反应室中,在一基板之上形成一三、五族化合 物半导体层;以及 于形成该三、五族化合物半导体层的步骤前后供 应一三族材料气体至该反应室之中,避免该三族气 体于该反应室中再蒸发。 24.如申请专利范围第23项之制造半导体发光元件 的方法,其中形成该半导体发光元件的步骤包括下 面步骤:形成一半导体发光二极体或一半导体雷射 。 25.一种蒸气相成长装置,其包括: 一反应室,以及, 一材料气体供应区段,用以供应气体至该反应室之 中以便于该反应室中的一基板之上形成一三、五 族化合物半导体层, 其中该材料气体供应区段会于形成该三、五族化 合物半导体层前后供应一三族材料气体至该反应 室之中,避免该三族气体于该反应室中再蒸发。 26.如申请专利范围第25项之蒸气相成长装置,进一 步包括一基板加热区段,用以加热该基板。 图式简单说明: 图1A为本发明范例中所使用之蒸气相成长装置之 重要部件的结构的剖面图; 图1B为图1A之蒸气相成长装置的平面图; 图2A为用于成长三、五族化合物半导体层时,成长 温度(基板温度)和再蒸发元素数量间的关系图; 图2B为成长温度和晶体缺陷数量间的概略关系图; 图2C为实验得到的成长温度和In晶体缺陷数量间的 关系图; 图3A为本发明范例中所制造之半导体发光二极体 之示范结构的剖面图; 图3B为本发明范例中所制造之半导体雷射之示范 结构的剖面图; 图4为范例1之用以制造三、五族化合物半导体层 之方法中的基板温度和成长期间材料气体导入时 间的关系图; 图5为范例2之用以制造三、五族化合物半导体层 之方法中的基板温度和成长期间材料气体导入时 间的关系图; 图6为范例3之用以制造三、五族化合物半导体层 之方法中的基板温度和成长期间材料气体导入时 间的关系图; 图7为范例4之用以制造三、五族化合物半导体层 之方法中的基板温度和成长期间材料气体导入时 间的关系图; 图8为范例5之用以制造三、五族化合物半导体层 之方法中的基板温度和成长期间材料气体导入时 间的关系图; 图9为用以制造三、五族化合物半导体层之惯用方 法中的基板温度和成长期间材料气体导入时间的 关系图; 图10为用以制造三、五族化合物半导体层之惯用 方法中的基板温度和成长期间材料气体导入时间 的关系图; 图11A为用于成长三、五族化合物半导体层所使用 之蒸气相成长装置之重要部件的结构的剖面图;以 及 图11B为图11A之蒸气相成长装置的平面图。 |
