| 主权项 |
1.一种半导体封装件,系包括:晶片承载件;至少一晶片,系具有相对之第一表面与第二表面,而以其第二表面接置于该晶片承载件上,并与该晶片承载件电性连接;缓冲层,系形成于该晶片之第一表面上;胶黏剂,系包括一胶黏材料与填充于该胶黏材料中的复数个填充物,以涂布于该缓冲层上,并令该胶黏剂之涂布面积不大于该缓冲层之面积;散热件,系藉该胶黏剂而黏接于该晶片之第一表面上;以及封装胶体,系用以包覆该晶片、散热件、及部份之晶片承载件。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该缓冲层系为一绝缘高分子材料层。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该缓冲层系为一聚亚醯胺(Polymide)层。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该缓冲层之厚度系约为5m。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该缓冲层系覆盖住该晶片第一表面上的所有导电迹线。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该缓冲层系覆盖住该晶片第一表面上除焊线垫以外的所有导电迹线。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该胶黏剂之胶黏材料系为一树脂材料。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该胶黏剂之填充物系为一金属粒子。9.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该胶黏剂之填充物系为一无机粒子。10.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该散热件材料之热膨胀系数系接近于该晶片材料之热膨胀系数。11.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该散热件系完全包覆于该封装胶体中。12.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该散热件系部份包覆于该封装胶体中,以外露出一散热表面。13.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片系藉由焊线而与该晶片承载件进行电性连接。14.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片系藉由覆晶方式而与该晶片承载件进行电性连接。15.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片承载件系为一导线架。16.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片承载件系为一基板。17.如申请专利范围第16项之半导体封装件,其中,该基板上未接设有晶片之表面复植设有多数焊球,以与外界电性连接。18.一种半导体封装件制法,其步骤系包括:制备一晶片承载件;制备至少一具有相对之第一表面与第二表面的晶片,且以其第二表面接置于该晶片承载件上并与该晶片承载件电性连接;于该晶片之第一表面上形成一缓冲层;涂布由一胶黏材料与复数个填充物所组成的胶黏剂于该缓冲层上,并令该胶黏剂之涂布面积不大于该缓冲层之面积;藉该胶黏剂而于该晶片之第一表面上黏接一散热件;以及以一封装胶体包覆该晶片、散热件、及部份之晶片承载件。19.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该缓冲层系为一绝缘高分子聚合物层。20.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该缓冲层系为一聚亚醯胺(Polymide)层。21.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该缓冲层之厚度系约为5m。22.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该缓冲层系覆盖住该晶片第一表面上的所有导电迹线。23.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该缓冲层系覆盖住该晶片第一表面上除焊线垫外的所有导电迹线。24.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该胶黏剂之胶黏材料系为一树脂材料。25.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该胶黏剂之填充物系为一金属粒子。26.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该胶黏剂之填充物系为一无机粒子。27.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该散热件材料之热膨胀系数系接近于该晶片材料之热膨胀系数。28.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该散热件系完全包覆于该封装胶体中。29.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该散热件系部份包覆于该封装胶体中,以外露出一散热表面。30.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该晶片系藉由焊线而与该晶片承载件进行电性连接。31.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该晶片系藉由覆晶方式而与该晶片承载件进行电性连接。32.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该晶片承载件系为一导线架。33.如申请专利范围第18项之半导体封装件制法,其中,该晶片承载件系为一基板。34.如申请专利范围第33项之半导体封装件制法,其中,该基板上未接设有晶片之表面复植设有多数焊球,以与外界电性连接。图式简单说明:第1图系本发明之半导体封装件的第一实施例剖视图;第2A至2G图系本发明之半导体封装件第一实施例的制法流程图;第3图系本发明之半导体封装件的第二实施例剖视图;第4图系本发明之半导体封装件的第三实施例剖视图;第5图系本发明之半导体封装件的第四实施例剖视图;第6图系习知具导线架之半导体封装件剖视图;第7A图系美国专利第5,339,216号与第5,901,043号专利之半导体封装件剖视图;以及第7B图系第7A图所示之半导体封装件于高温下之结构破坏示意图。 |
