发明名称 离子掺杂装置、离子掺杂方法、半导体元件及半导体元件之制造方法
摘要 本发明系一离子掺杂装置,该装置包括:一反应室11;一用以将该反应室11内的气体量释放出去的释放段13;一在该反应室11内并包括一入口14的离子源12,穿过该入口14注入包含掺杂用之元素的气体,该离子源12将入口14注入的气体分解掉,以便产生含掺杂所用之元素的离子;一加速段23,用以将离子源12所产生的离子从离子源12拉出,并加速该离子朝向一安置在反应室内的目标物;以及一离子束电流计26,用以量测加速离子所造成的离子束电流。该离子束电流是藉离子束电流计26进行复数次的量测,而且如果量测结果表示离子束电流的稳定性,则该离子掺杂装置会自动的开始将含有掺杂所使用之元素的离子,布植到该目标物中。因此,提供一具有优良掺杂量可控制性的离子掺杂装置。
申请公布号 TW200537579 申请公布日期 2005.11.16
申请号 TW094103220 申请日期 2005.02.02
申请人 夏普股份有限公司 发明人 中西健
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本