于电接合面将半导体费米能阶去梢状之方法及包含该接合面之装置

摘要

本发明揭示一种包括一半导体(例如C、Ge或以Si为主之半导体)、一导体与置放于二者之间之一介面层之电接合面。该介面层厚得足以将该半导体之一费米能阶去梢，然而又薄得足以为该接合面提供小于或等于大约1000Ω–μm^2之一接触电阻率，有时系一最小接触电阻率。