双扩散型金属氧化物半导体晶体管的制造方法

摘要

本发明提供双扩散型金属氧化物半导体(DMOS)晶体管的制造方法。本发明的优点是，通过使用保护层使已基本完成的DMOS晶体管结构免于受到后续加工步骤的负面影响。根据本发明的、制造具有本体区、源极区和栅极的双扩散型金属氧化物半导体晶体管结构的方法包括下列步骤：步骤A，提供具有一栅极氧化物的半导体衬底；步骤B，在栅极氧化物上涂布一个导电层；步骤C，使导电层形成图形，其中，安置在随后将产生的源极区上方的一些导电层部分被去除；步骤D，产生本体区及源极区；步骤E，在半导体衬底上涂布至少一个保护层；步骤F，使保护层及导电层形成图形，以产生双扩散型金属氧化物半导体晶体管的栅极；步骤G，至少在源极区上方除去保护层。

主权项

1、一种制造具有本体区(8)、源极区(9)和栅极的双扩散型金属氧化物半导体晶体管结构的方法，该方法包括下列步骤：步骤A，提供具有一栅极氧化物(3)的半导体衬底(1)；步骤B，在所述栅极氧化物(3)上涂布一个导电层(4)；步骤C，使所述导电层(4)形成图形，其中，安置在随后将产生的所述源极区(9)上方的一些导电层(4)部分被去除；步骤D，产生所述本体区(8)及所述源极区(9)；步骤E，在所述半导体衬底上涂布至少一个保护层(14)；步骤F，使所述保护层(14)及所述导电层(4)形成图形，以产生所述双扩散型金属氧化物半导体晶体管的所述栅极；步骤G，至少在所述源极区(9)上方除去所述保护层(14)。