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发明名称 Plasma etch reactor with dual sources for enhancing both etch selectivity and etch rate
摘要
申请公布号 EP1308986(A3) 申请公布日期 2005.11.09
申请号 EP20020023899 申请日期 2002.10.24
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 OUYE, ALAN H.;HAGERTY, JOHN J.;WADENSWEILER, RALPH M.;HOLLAND, JOHN P.;TODOROV, VALENTIN;SATO, ARTHUR H.;KUMAR, AJAY;KHAN, ANISUL;PODLESNIK, DRAGAN
分类号 H01J37/32;(IPC1-7):H01J37/32 主分类号 H01J37/32
代理机构 代理人
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