| 发明名称 | 半导体器件的清洗液和制造方法 | ||
| 摘要 | 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1690183A | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN200510067052.1 | 申请日期 | 2005.04.27 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司;关东化学株式会社 | 发明人 | 青木秀充;铃木达也;大和田拓央;池上薰;石川典夫 |
| 分类号 | C11D7/32;G03F7/42;H01L21/304 | 主分类号 | C11D7/32 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种清洗液，包括：含氟化合物；螯合剂；以及有机酸盐，由此所述清洗液用于清洗其上形成镍硅化物层的衬底。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||