| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，在半导体基板(100)上，为覆盖一对杂质扩散层(102)、栅极绝缘膜(103)以及栅极(104)构成的晶体管而形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜(106)上，形成由没有取向的氧化钛铝构成的密接层(107)。在密接层(107)上，介入第1导电性势垒层(108)以及第2导电性势垒层(109)后，形成由下部电极(110)、电容绝缘膜(111)以及上部电极(112)构成电容元件。晶体管和电容元件，通过在层间绝缘膜(106)以及密接层(107)中埋入的导电性插栓(113)进行连接。可以提高在层间绝缘膜的内部形成导电性插栓与在层间绝缘膜上形成的电容元件之间的密接性。 | ||
| 申请公布号 | CN1225793C | 申请公布日期 | 2005.11.02 |
| 申请号 | CN03142356.6 | 申请日期 | 2003.06.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 久都内知惠 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/822 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征是包括在形成了晶体管的半导体基板上形成的层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成的、由没有取向的氧化金属构成的密接层；在所述密接层上从下侧依次形成的第1导电性势垒层及第2导电性势垒层；由在所述第2导电性势垒层上从下侧依次形成的下部电极、高介电常数材料或者铁电材料构成的电容绝缘膜、及上部电极所构成的电容元件；以及贯穿所述层间绝缘膜以及所述密接层、将所述晶体管和所述第1导电性势垒层电连接的导电性插栓。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||