| 主权项 |
1.一种半导体装置的缺陷检测方法,包含:提供一半导体装置,具有:一基底;复数个闸极,分别凸出于该基底上;一介电层,毯覆于该基底与该些闸极上;及复数个复晶矽插塞(plug),分别置于该些闸极之间的该基底上,并分布于该介电层中;对该半导体装置施以热处理;对该半导体装置进行一电子束检测,并取得一分析图形;以及当该分析图形出现电位对比差异的领域时,则判别该半导体装置具有一管状缺陷。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的温度为620~1000℃。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的温度为700~950℃。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的时间为1~60分钟。5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的时间为5~25分钟。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该管状缺陷系导通至少二个复晶矽插塞。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中当该分析图形出现亮度异于其背景亮度的领域时,则判别该半导体装置具有一管状缺陷。8.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中在吸电子模式下,当该分析图形出现亮度较其背景亮度为亮的领域时,则判别该半导体装置具有一管状缺陷。9.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中进行该电子束检测之前,更包含对该半导体装置施以一化学机械研磨的步骤。10.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中以电子束检测该半导体装置时,该电子束对该半导体装置的聚焦能量(landing energy)为200eV~600eV。11.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中以电子束检测该半导体装置时,该电子束与该半导体装置之间的中间能量(intermediateenergy)为600eV~1000eV。12.如申请专利范围第1项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中以电子束检测该半导体装置时的检测画素(inspection pixel)为0.05~0.15m。13.一种半导体装置的缺陷检测方法,包含:提供一半导体装置,该半导体装置至少具有一基底及层积于其上的一介电层及被该介电层电性隔离的复晶矽层;对该半导体装置施以热处理;对该半导体装置进行一电子束检测,并取得一分析图形;以及当该分析图形出现电位对比差异的一位置时,则判别位于该位置的该介电层具有一管状缺陷。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的温度为620~1000℃。15.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的温度为700~950℃。16.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的时间为1~60分钟。17.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该热处理的时间为5~25分钟。18.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中该管状缺陷系导通该些复晶矽层。19.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中当该分析图形出现亮度异于其背景亮度的领域时,则判别该半导体装置具有一管状缺陷。20.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中在吸电子模式下,当该分析图形出现亮度较其背景亮度为亮的领域时,则判别该半导体装置具有一管状缺陷。21.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中进行该电子束检测之前,更包含对该半导体装置施以一化学机械研磨的步骤。22.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中以电子束检测该半导体装置时,该电子束对该半导体装置的聚焦能量(landing energy)为200eV~600eV。23.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中以电子束检测该半导体装置时,该电子束与该半导体装置之间的中间能量(intermediate energy)为600eV~1000eV。24.如申请专利范围第13项所述之半导体装置的缺陷检测方法,其中以电子束检测该半导体装置时的检测画素(inspection pixel)为0.05~0.15m。图式简单说明:第1图为一俯视图,系显示一半导体元件的内连线制程中,管状缺陷的发生。第2图为一俯视图,系显示一半导体元件的内连线制程中,管状缺陷的发生。第3图为一俯视图,系显示一半导体元件的内连线制程中,管状缺陷的发生。第4A图为一俯视图,系显示一半导体元件的内连线制程中,管状缺陷的发生。第4B图为沿第4A图之剖面线AA之剖面图。第5图为一流程图,系显示本发明第一实施例之半导体装置的检测方法的流程。第6A图为一俯视图,系显示较佳实施例之半导体装置的检测方法中的半导体装置。第6B、6C图分别为沿第6A图之剖面线BB、CC之剖面图之一例。第6D、6E图分别为沿第6A图之剖面线BB、CC之剖面图之一例。第7A图系显示本发明较佳实施例之半导体装置的检测方法所得之分析图形。第7B图为一电子显微镜照片,对应于第7A图之图形。 |
