| 发明名称 | 蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物 | ||
| 摘要 | 公开了一种蚀刻其上具有光致抗蚀剂材料图形的晶片的方法。该方法包括以含溴的等离子体硬化光致抗蚀剂材料。然后进行晶片的主蚀刻。还公开了一种用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的图形的方法。该硬化方法包括提供含溴的等离子体并将光致抗蚀剂材料暴露在等离子体中，使得光致抗蚀剂材料下面的晶片的层不被蚀穿。在高密度等离子体处理装置中用于硬化晶片上的光致抗蚀剂材料的等离子体组合物包括溴。 | ||
| 申请公布号 | CN1689142A | 申请公布日期 | 2005.10.26 |
| 申请号 | CN03819178.4 | 申请日期 | 2003.07.31 |
| 申请人 | 兰姆研究有限公司 | 发明人 | Y·K·泰勒;W·阮;C·G·N·李 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3213;H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻其上具有光致抗蚀剂材料图形的晶片的方法，包括：蚀刻之前，用含溴的等离子体硬化光致抗蚀剂材料；和进行晶片的主蚀刻。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||