| 发明名称 | 用于MOSFET的铟－硼双盐注入 | ||
| 摘要 | 一种方法，包括形成具有沟道区域的晶体管器件；将第一盐注入沟道区域；以及将不同的第二盐注入沟道区域。一种装置，包括形成在基板上的栅极电极；形成在基板中、栅极电极下、以及接点之间的沟道区域；沟道区域中的包括第一种类的第一盐注入物；以及沟道区域中的包括不同的第二种类的第二盐注入物。 | ||
| 申请公布号 | CN1685517A | 申请公布日期 | 2005.10.19 |
| 申请号 | CN03823214.6 | 申请日期 | 2003.09.19 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | C·维伯;G·施勒姆;I·波斯特;M·施泰特尔 |
| 分类号 | H01L29/10 | 主分类号 | H01L29/10 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种方法，其特征在于，所述方法包括：形成具有沟道区域的晶体管器件；将第一盐注入沟道区域；以及将不同的第二盐注入沟道区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||