| 发明名称 | 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一覆盖层，该覆盖层制作在有源层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在覆盖层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1681134A | 申请公布日期 | 2005.10.12 |
| 申请号 | CN200410033586.8 | 申请日期 | 2004.04.07 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵德刚;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/108;H01L31/18 | 主分类号 | H01L31/108 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种氮化镓基肖特基结构紫外探测器，其特征在于，其中包括：一衬底；一欧姆接触层，该欧姆接触层制作在衬底上；一有源层，该有源层制作在欧姆接触层的上面，该有源层的面积小于欧姆接触层；一覆盖层，该覆盖层制作在有源层上；一欧姆电极，该欧姆电极制作在欧姆接触层上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在覆盖层上。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||