| 主权项 |
1.一种雷射CVD装置,包含有: 一电浆单元,用以藉由将电浆气体供应至基板所形 成之电浆,预处理待利用CVD膜来沈积之该基板之区 域,其中该电浆气体系藉由将预处理气体转变成为 电浆状态而产生; 一装置,用以发射雷射光束至该基板上的沉积区域 ; 一装置,用以提供膜形成气体至该沉积区域,以藉 由利用该雷射光束来活化该膜形成气体而于该区 域上沈积该CVD膜;及 一装置,用以密封该膜形成气体与外部大气分离, 其中 藉该电浆单元将该基板的该沉积区域作预处理,且 该CVD膜系形成于该预处理区域上方。 2.如申请专利范围第1项之雷射CVD装置,其中该电浆 单元藉由电弧放电制作电浆状态。 3.如申请专利范围第1项之雷射CVD装置,进一步包含 有一X-Y台,于其上将该基板安置。 4.如申请专利范围第2项之雷射CVD装置,其中该电浆 单元包括一电浆产生室、一气体入口用以接受预 处理气体至电浆产生室、及一电极用以引起预处 理气体产生电弧放电。 5.如申请专利范围第4项之雷射CVD装置,其中该电浆 单元更包括一金属网以避免电弧放电影响该基板 。 6.如申请专利范围第1项之雷射CVD装置,其中该预处 理气体为空气、氮气及氩气其中之一。 7.一种雷射CVD方法,包含步骤有: 藉由电弧放电将预处理气体转变成电浆状态; 供应于电浆状态的该预处理气体,以使其与基板的 膜形成面接触; 供应膜形成气体至基板的膜形成面,与外部大气分 离; 以雷射光束照射该基板的膜形成面以活化该膜形 成气体;及 引发该活化的膜形成气体形成膜于基板的该膜形 成面上。 8.一种图案缺陷校正装置,包含有: 一基板固定器,能够移动具有图案的基板,该图案 具有一缺陷部分; 预处理单元,用以藉由电弧放电转变预处理气体成 为电浆状态及供应电浆状态气体至于该基板固定 器上的基板; 膜形成单元,其设有用以发射雷射光束的装置及用 以密封膜形成气体与外部大气分离之装置;及 控制单元,其中 该控制单元控制该预处理单元以供应该电浆状态 气体至该基板上的缺陷部分, 该控制单元控制该膜形成单元以分离该膜形成气 体与外部大气及以供应该膜形成气体至该基板上 的缺陷部分上,及 该控制单元控制该膜形成单元以用该雷射光束照 射该基板上的缺陷部分以活化该膜形成,因而造成 膜形成于该基板上的缺陷部分。 9.一种用以校正基板上缺陷部分之图案缺陷校正 方法,该方法包含步骤有: 藉由电弧放电将预处理气体转变成电浆状态, 供应于电浆状态的该预处理气体至该基板的缺陷 部分, 密封膜形成气体至相当于该基板的缺陷部分之膜 形成面,同时与外部大气分离, 以雷射光束照射该膜形成面以活化该膜形成气体, 及 形成膜于该基板的缺陷部分以校正缺陷部分。 图式简单说明: 图1显示根据本发明之一种雷射CVD装置,将其运用 为图案缺陷校正装置; 图2显示构成图1雷射CVD装置之电浆发射单元结构; 图3显示示于图1雷射CVD装置中气窗单元部分之结 构; 图4为示于图1中图案缺陷校正装置用以说明控制 步骤的流程图; 图5(a)及5(b)为用以说明对由Cr膜于玻璃基板上组成 的光阻图案之缺陷校正方法之平面图,其为本发明 的运用; 图6(a)及6(b)为用以说明对形成于液晶基板上的配 线图案之断路缺陷校正方法之平面图,其也为本发 明的运用;及 图7(a)及7(b)为剖面图,其比较显示先前技艺及本发 明之间,透明导电膜(ITO膜)的步阶区域处膜形成状 态。 |
