两－波长半导体激光器件及其制造方法

摘要

在此公开了一种两－波长半导体激光器件。该两－波长半导体激光器件包括具有在其上彼此隔开的第一和第二区的第一导电材料衬底，在第一区上形成的第一半导体激光二极管，在第一导电材料衬底的第二区域上形成并包括与第一半导体激光二极管相同层的非有源层，在非有源层上形成的第二半导体激光二极管，以及至少在第一和第二半导体激光二极管之间形成的横向导电区。

主权项

1.一种两-波长半导体激光器件，包括：具有上表面的第一导电材料衬底，上表面具有在其上彼此分开形成的第一和第二区域；包括在第一导电材料衬底的第一区域上顺序地层叠的第一导电材料第一敷层、第一有源层和第二导电材料第一敷层的第一半导体激光二极管；在第一导电材料衬底的第二区域上形成且包括与第一半导体激光二极管的第一导电材料第一敷层、第一有源层和第一导电材料第二敷层相同层的非有源层；包括在非有源层上顺序地层叠的第一导电材料第二敷层、第二有源层以及第二导电材料第二敷层的第二半导体激光二极管；以及至少在第一和第二半导体激光二极管之间形成的横向导电区，以便第二导电材料第一敷层和第一导电材料衬底相互可以电连接。