发明名称 用于产生经质量分析的带状离子束的对称束线的方法
摘要 公开了离子注入系统以及用于该系统的束线,其中质量分析并准直具有相对大宽高比的带状束,以提供用于注入一个或多个工件的经质量分析的带状束。束线系统(12)包括两个相似的磁体(22、24),其中第一磁体(22)质量分析带状束以提供经质量分析的中间离子束,第二磁体(24)准直该中间束以向终端台(18)提供均匀的经质量分析的带状束。该对称系统为横跨细长的束宽度的离子提供等距离的束轨道(41、43),以便减轻系统的束输运中的非线性,从而使最终经质量分析后的束具有均匀的高度。
申请公布号 CN1672235A 申请公布日期 2005.09.21
申请号 CN03818040.5 申请日期 2003.07.29
申请人 艾克塞利斯技术公司 发明人 V·本维尼斯特
分类号 H01J37/317;H01J37/05 主分类号 H01J37/317
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 傅康;张志醒
主权项 1、一种使用离子束注入一个或多个工件的离子注入系统,包括:产生沿纵向路径的细长离子束的离子源,该离子束包括定义第一宽高比的横向宽度和横向高度,其中横向宽度大于横向高度,该第一宽高比包括该横向宽度和该横向高度之比;束线系统,包括沿该路径位于离子源下游的质量分析仪以接收细长离子束,该质量分析仪提供横跨该路径的磁场,以便根据质量以不同轨道将离子从离子束偏转,从而提供包括具有期望质量的离子的经质量分析的细长离子束,该经质量分析的离子束包括基本类似于第一宽高比的第二宽高比;以及终端台,从束线系统接收经质量分析的离子束,并且沿该路径支撑至少一个工件用于使用经质量分析的离子束的注入。
地址 美国马萨诸塞州