| 发明名称 | 采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 | ||
| 摘要 | 一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长芯区；(4)等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长15μm上包层；(5)抛光去掉生长在氧化包层上的芯层、上包层材料，整个硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。 | ||
| 申请公布号 | CN1670550A | 申请公布日期 | 2005.09.21 |
| 申请号 | CN200410031518.8 | 申请日期 | 2004.03.19 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 安俊明;李健;郜定山;夏君磊;李建光;王红杰;胡雄伟 |
| 分类号 | G02B6/136;G02B6/10 | 主分类号 | G02B6/136 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底先进行反应离子刻蚀，刻蚀出波导芯区空间；(2)高温热氧化形成约15μm厚的下包层和侧向包层；(3)在波导芯区空间用等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长芯区；(4)等离子增强化学气相沉积法或火焰水解法生长15μm上包层；(5)抛光去掉生长在氧化包层上的芯层、上包层材料，整个硅基二氧化硅偏振不灵敏应力光波导制备完毕。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||