| 主权项 |
1、一种具有轻掺杂漏极的金属氧化物半导体的制作方法，包括：提供一基底，该基底包含一轻掺杂漏极(LDD)区及一p型金属氧化物半导体(PMOS)区；形成一第一岛状半导体层于该轻掺杂漏极(LDD)区及一第二岛状半导体层于该p型金属氧化物半导体(PMOS)区，其中该第一岛状半导体层包含一通道区、一轻掺杂预定区，以及一源/漏极预定区，而该第二岛状半导体层包含一通道区，以及一源/漏极预定区；依序形成一栅极绝缘层及一第一导电层于该基底；形成一图案化的第一光致抗蚀剂层以覆盖该第二岛状半导体层通道区及该第一岛状半导体层上方的该第一导电层，其中位于该第一及第二岛状半导体层通道区上的第一光致抗蚀剂层的厚度大于位于该第一岛状半导体层的轻掺杂预定区及源/漏极预定区的第一光致抗蚀剂层的厚度；以该图案化的第一光致抗蚀剂层为掩模蚀刻该第一导电层，以形成一图案化的第一导电层；对该第二岛状半导体层的源/漏极预定区进行一p型离子重掺杂工艺，以形成一源/漏极区；去除位于第一岛状半导体层的轻掺杂预定区及源漏极预定区的第一导电层；对该第一岛状半导体层的轻掺杂预定区进行一n型离子轻掺杂工艺，以形成一轻掺杂漏极区；去除残留的第一光致抗蚀剂层；形成一层间介电层于该基底之上；形成一贯孔及一盲孔于该层间介电层，其中该贯孔对应于该第一岛状半导体层源/漏极预定区并露出该源/漏极预定区，而该盲孔对应于该第二岛状半导体层源/漏极区但未露出该第二岛状半导体层源/漏极区；透过该贯孔进行一n型离子重掺杂工艺，使第二岛状半导体层的源/漏极预定区形成一源/漏极区。 |
