位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元

摘要

本发明包括形成相变材料存储器器件的方法和由此制造的相变存储器器件。特殊地，相变存储器器件包括一半导体结构，其包括一具有第一掺杂区并其侧面连接一组第二掺杂区的衬底；位于第一掺杂区上的相变材料；和位于相变材料上的导体，其中当相变材料为第一相时，半导体结构作为双极结型晶体管运行，当相变材料为第二相时，半导体结构作为场效应晶体管运行。

主权项

1、一种存储器结构，包括：一晶体管，其包含发射极、基极和集电极，所述基极有一毗连绝缘层的下表面；以及一包含相变材料的基极接触点。