用于具有动态升压字线的寄存器堆中的性能提高技术

摘要

本发明通过提高被构造为包含双V_t位线或单V_t位线的寄存器堆的性能，克服了现有技术中固有的问题。本发明为位线电路的一个晶体管，最好是局部位线(LBL)电路的高电压阈值读选择晶体管提供驱动信号升压。使驱动信号的幅度比通常的供电电压高出某个增量delta V。

主权项

1.一种由供电电压Vdd供电并且包含多个阈值电压Vt位线的寄存器堆，所述多个Vt位线中的每个包含栅极耦合到动态读选择(RS)信号的读选择晶体管，并且还包含插入在RS信号和栅极之间、用于将提供给栅极的驱动信号的水平提高到高于Vdd的电路。