发明名称 记忆体介面用内部电压参考技术
摘要 本发明实施例包含一组介接至记忆体之记忆体控制器。于一实施例中,该记忆体控制器包含一组耦合至一外接拉升电阻器之拉升校准端点、一组耦合至一外接拉降电阻器之拉降校准端点、一组电压参考节点、被耦合在该拉升校准端点和该电压参考节点之间的一组第一开关、以及被耦合在该拉降校准端点和该电压参考节点之间的一组第二开关。该第一开关和该第二开关可以选择性地被闭合而以标准模式于该电压参考节点上产生一组内部电压参考,其可以被使用与一组输入信号相比较以接收资料。
申请公布号 TW200529559 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW093134429 申请日期 2004.11.11
申请人 英特尔公司 发明人 苏克尔 约翰;张德勒 詹姆斯;江雷伊
分类号 H03K19/094 主分类号 H03K19/094
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国
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