| 摘要 |
形成于一矽基板上的一电阻式随机存取记忆体(PRAM)记忆胞，具有于矽基板中的一操作介面和于矽基板上的一金属栓塞，包括一第一耐氧化(oxidation resistant)层、一第一耐火金属(refractory metal)层、一巨磁阻抗(ColossalMagnetoresistive，简称CMR)层、一第二耐火金属(refractorymetal)层及一第二耐氧化(oxidation resistant)层。一种制造一多层电极电阻式随机存取记忆体(PRAM)记忆胞的方法包括：准备一矽基板；形成一由N＋介面和P＋介面所组成的介面群中选出的介面于该基板中；沉积一金属栓塞于该介面上；沉积一第一耐氧化层于该金属栓塞上；沉积一第一耐火金属层于该第一耐氧化层上；沉积一巨磁阻抗层于该第一耐火金属层上；沉积一第二耐火金属层于该巨磁阻抗层上；沉积一第二第一耐氧化层于该第二耐火金属层上，及完成该电阻式随机存取记忆体记忆胞。 |
