| 发明名称 |
CELL BLOCK GATE PATTERN OF ACTIVE RECESS CHANNEL TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050082034(A) |
申请公布日期 |
2005.08.22 |
| 申请号 |
KR20040010376 |
申请日期 |
2004.02.17 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, DONG HYUN |
| 分类号 |
H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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