发明名称 晶片的分割方法
摘要 本发明提供晶片的分割方法,包括:保护部件粘合工序,在晶片的表面粘合保护部件;研磨工序,研磨在表面粘合了保护部件的晶片的背面;变质层形成工序,从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线,在晶片的内部沿分割预定线形成变质层;粘接片粘合工序,在晶片的背面粘合粘接片;框架保持工序,将晶片的粘接片侧,粘合在安装于环状框架的切片胶带上;分割工序,沿晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力,分割成单个芯片;扩张工序,将粘合了晶片的切片胶带扩张,扩宽各芯片间的间隔,由此断开粘接片;及拾起工序,从被扩张的切片胶带,将在背面粘合了粘接片的各芯片拾起。
申请公布号 CN1655327A 申请公布日期 2005.08.17
申请号 CN200510008081.0 申请日期 2005.02.16
申请人 株式会社迪斯科 发明人 永井佑介;中村胜;小林贤史
分类号 H01L21/301;H01L21/78 主分类号 H01L21/301
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 胡建新
主权项 1、一种晶片的分割方法,将在由在表面成格子状地形成的分割预定线区分的区域设置了功能元件的晶片,沿分割预定线分割,其特征在于包括以下工序:保护部件粘合工序,在晶片的表面粘合保护部件;研磨工序,对在表面粘合了保护部件的晶片的背面进行研磨;变质层形成工序,从被研磨加工了的晶片的背面侧沿着分割预定线照射对晶片有透射性的脉冲激光光线,在晶片的内部沿着分割预定线形成变质层;粘接片粘合工序,在沿着分割预定线形成了变质层的晶片的背面,粘合用于粘片的粘接片;框架保持工序,将粘合了粘接片的晶片的该粘接片侧,粘合在安装于环状框架的切片胶带上;分割工序,沿着被保持在框架上的晶片的形成了变质层的分割预定线赋予外力,将晶片沿着分割预定线分割成单个芯片;扩张工序,将粘合了被分割成单个芯片的晶片的切片胶带扩张,扩宽各芯片间的间隔,由此断开该粘接片;及拾起工序,从被扩张的切片胶带,将在背面粘合了该粘接片的各芯片拾起。
地址 日本东京都