发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明的半导体器件是在半导体基板(1)的表面形成与内部电路连接的电极焊盘(2),在电极焊盘(2)的周围接近电极焊盘(2)形成布线(6),并形成覆盖电极焊盘(2)的周边部分与布线(6)与半导体基板(1)表面的保护膜(4),在所述电极焊盘(2)上形成金属突起电极(3),使得周边部分放置在布线(6)上的保护膜(4)上。根据这样,由于接近电极焊盘(2)形成布线(6),因此覆盖电极焊盘(2)的周边部分及其周围区域的保护膜(4)形成得比较平坦,金属突起电极(3)放置在前述比较平坦的保护膜(4)上而形成的凸起部分(3a)具有平坦的表面。因而,即使电极焊盘(2)小,也能够在金属突起电极(3)的表面充分确保平坦的区域,能够确保利用COG安装等的各向异性导电片等的连接稳定性。
申请公布号 CN1655349A 申请公布日期 2005.08.17
申请号 CN200510008324.0 申请日期 2005.02.03
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 中村嘉文;田中隆将
分类号 H01L23/48;H01L21/60 主分类号 H01L23/48
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 沈昭坤
主权项 1、一种半导体器件,其特征在于,在半导体基板的表面形成与内部电路连接的电极焊盘,同时在所述焊盘的周围接近所述电极焊盘形成布线,并形成覆盖所述电极焊盘的周边部分及布线及半导体基板表面的保护膜,在所述电极焊盘上形成金属突起电极,使得周边部分放置在所述布线上的保护膜上。
地址 日本大阪府