半导体基片的UV增强的氧氮化

摘要

当使半导体基片暴露于O₂与N₂、N₂O、H₂和NH₃中的一种或多种的气氛下时，通过使该基片经受UV辐射而在半导体基片上形成氧氮化物层或氧化层。此后，根据已知的四步栅叠介电处理技术形成氮化硅层。或者，使用三步栅叠法，即在UV氧化后，在NH₃中进一步施加UV辐射，随后在惰性环境中进行快速热退火处理。通过使用UV氧化作为四步或三步栅叠法中的第一步，可以获得当量氧化物厚度(EOT)小于16和低至14.2的非常薄的复合介电膜，同时泄漏电流密度显著改善。

主权项

1.一种作为栅叠形成法中一个步骤的、在半导体基片表面上形成氧氮化物膜的方法，其包括：使该半导体基片暴露于含O2和选自N2、NH3、N2O和H2中一种或多种气体的气氛下；和当使基片暴露于所述的气氛下时用UV辐射对该基片辐射从而在该基片表面上形成氧氮化物膜。