| 发明名称 | 半导体器件、电路衬底、光电装置和电子设备 | ||
| 摘要 | 目的在于在半导体器件中，抑制因在半导体膜端部产生的电场强度·载流子密度增加而引起的随着时间的劣化。使栅极的宽度比半导体膜的宽度窄。具备连接栅极、位于从半导体膜到栅极一侧而比栅极远的副栅极，并使副栅极的宽度比半导体膜的宽度宽。另外，在半导体膜的端部具备未掺杂掺杂物的本征半导体区。 | ||
| 申请公布号 | CN1215571C | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
| 申请号 | CN02107085.7 | 申请日期 | 2002.01.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木村睦 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L27/14;H05B33/00 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括半导体膜，在所述半导体膜上的至少一部分中形成的栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上形成的栅极，其特征在于：所述栅极与所述半导体膜的端部不重合地形成，而且在与源极区和漏极区之间流过的电流方向垂直的方向上，所述栅极的宽度比所述半导体膜的宽度小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||