半导体单晶晶圆之制造方法及制造其之雷射加工装置

摘要

本发明之半导体单晶晶圆之制造方法之特征在于由相对较大口径之半导体单晶晶圆(1a–1d)切取多数片需要者希望之相对较小口径之半导体单晶晶圆(2a–2d)。因此，即使大口径之半导体单晶晶圆之一部分含有缺陷，也可获得可将由该缺陷除外之部分所切取之小口径之晶圆出货之次要的效果。