| 发明名称 | 带电子电路的碳化硅微机电器件 | ||
| 摘要 | 一种在具有慢刻蚀率的碳化硅衬底上形成电子电路和微机电器件的方法，它是通过在衬底上形成电子电路进行的。在电子电路上面形成一个保护层，其具有慢于碳化硅衬底的刻蚀率。然后形成由衬底支撑的微机电器件结构。此电子电路在一个实施例中包括场效应晶体管，且该保护层包括一种重金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1652995A | 申请公布日期 | 2005.08.10 |
| 申请号 | CN03810349.4 | 申请日期 | 2003.03.07 |
| 申请人 | 康乃尔研究基金会有限公司 | 发明人 | 凯文·科恩盖;安德鲁·瑞安·阿特韦尔;米黑拉·鲍尔塞奴;乔恩·达斯特;埃斯金德·黑卢;李彻 |
| 分类号 | B81B3/00 | 主分类号 | B81B3/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1.一种在具有慢刻蚀率的碳化硅衬底上形成电子电路和微机电结构的方法，包括：在衬底上形成电子电路；在电子电路上形成一个保护层，其刻蚀率慢于碳化硅衬底的刻蚀率；形成一个由衬底支撑的微机电结构。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||