| 发明名称 | 对于可编程器件使用原子层沉积 | ||
| 摘要 | 一方面，提供一种设置和重新编程可编程器件状态的设备。一方面，提供一种方法，使得通过暴露触点(170)的电介质(210)形成开口(220)，所述触点(170)形成在衬底(100)上。使用原子层沉积(ALD)，在电介质(210)的壁上共形地沉积电极(230)。在电极(230)上形成可编程材料(404)，并且形成到可编程材料(404)的导体(410)。一方面，在电极(230)和可编程材料(404)之间使用ALD来共形地沉积阻挡(408)。 | ||
| 申请公布号 | CN1650443A | 申请公布日期 | 2005.08.03 |
| 申请号 | CN02829486.6 | 申请日期 | 2002.08.21 |
| 申请人 | 奥翁尼克斯公司 | 发明人 | T·A·劳里;C·H·丹尼森 |
| 分类号 | H01L45/00 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;梁永 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在触点上形成电介质，所述触点形成在衬底上；通过暴露所述触点的所述电介质来形成开口；使用原子层沉积(ALD)在所述电介质的壁上共形地沉积电极；在所述电极上形成可编程材料；以及形成到所述可编程材料的导体。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||