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发明名称 method of forming gate oxide layer in semiconductor device and method of gate electrode of the same
摘要
申请公布号 KR100505068(B1) 申请公布日期 2005.07.29
申请号 KR20030045488 申请日期 2003.07.05
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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