| 主权项 |
1.一种晶圆级封装之切割方法,包括下列步骤: 提供一晶圆级封装结构,其系包含一设有复数感测 单元之晶圆以及一结合于该晶圆上之透明基板,且 该透明基板系形成有复数透明单元对应于该等感 测单元; 以该等透明单元为切割单位,在该透明基板之表面 形成复数纵横交错之V型缺角刻线; 在每一该V型缺角刻线内施加一应力,且使该应力 沿着每一该V型缺角刻线行走,以使该透明基板以 该等透明单元为单位而裂断; 以该等感测单元为单位切割该晶圆;以及 分离该透明基板以使该等透明单元分离,进而将该 晶圆级封装结构分割形成复数封装元件。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,切割该晶圆之方式系由该晶圆之下表 面切割该晶圆。 3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,该V型缺角刻线系利用一第一尖角刀具 进行刻划而形成。 4.如申请专利范围第3项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,该第一尖角刀具系为钻石刀。 5.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,在该V型缺角刻线内施加应力之步骤,系 藉由一第二尖角刀具沿着该V型缺角刻线行走来产 生,且该第二尖角刀具之刀锋V型夹角系小于该V型 缺角刻线之V型夹角。 6.如申请专利范围第5项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,该第二尖角刀具系为钻石刀。 7.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,切割该晶圆之步骤更包括下列步骤: 在该透明基板上覆设一固定膜,且将该晶圆级封装 结构翻转,使该晶圆位于该透明基板上方;以及 以该等感测单元为单位切割该晶圆。 8.如申请专利范围第7项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,该固定膜系为胶带者。 9.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,分离该透明基板之步骤更包括下列步 骤: 在该晶圆上贴设一黏膜; 移除该固定膜且拉伸该黏膜,使该透明基板中位于 每二该透明单元间之切割余料脱落;以及 移除该黏膜。 10.如申请专利范围第9项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,该黏膜系为具有可扩张性者。 11.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,切割该晶圆之方式为钻石刀片高速研 磨切割。 12.如申请专利范围第1项所述之晶圆级封装之切割 方法,其中,该透明基板之材质系选自玻璃及透光 塑胶其中之一者。 图式简单说明: 第一图为习知晶圆级封装结构之切割示意图。 第二图为习知高速研磨产生之玻璃砂冲击晶圆之 示意图。 第三图为本发明用以切割之晶圆级封装结构剖视 图。 第四图为第三图中之晶圆的示意图。 第五图为第三图中之透明基板的示意图。 第六A图至第六C图为本发明于切割透明基板之各 步骤结构剖视图。 第七A图至第七B图为本发明于切割晶圆之各步骤 结构剖视图。 第八A图至第八C图所示为本发明于分离透明基板 之各步骤结构剖视图。 |
