| 发明名称 | 射频半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高频器件，包括提供一电感的第一晶片，该电感带有穿过所述第一晶片的通孔接触栓塞；及与所述第一晶片连结的第二晶片，其中所述第二晶片提供逻辑器件及在其上部的电感连接线。 | ||
| 申请公布号 | CN1638124A | 申请公布日期 | 2005.07.13 |
| 申请号 | CN200410055981.6 | 申请日期 | 2004.08.03 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 表成奎 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L21/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种高频器件，包括：提供一电感的第一晶片，其具有穿过所述第一晶片的通孔接触栓塞；与所述第一晶片连结的第二晶片，其中所述第二晶片提供逻辑器件及在其上部的电感连接线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||