| 主权项 |
1.一高压P型金氧半场效电晶体,包括有:一P型基板;一具有N型导电离子之第一N型扩散区,于该P型基板内形成一第一N型井;一具有P型导电离子之第一P型扩散区,于该第一N型井内形成一第一P型区域;一具有P+型导电离子之第一汲极扩散区,于该第一P型扩散区内形成一第一汲极区域;一具有P+型导电离子之第一源极扩散区形成一第一源极区域,其中一第一通道于该第一源极区域与该第一汲极区域间形成;一具有N+型导电离子之第一接点扩散区形成一第一接点区域,其中该第一N型扩散区将该第一源极区域与该第一接点区域包围起;具有P型导电离子之数个分离的P型扩散区,在该P型基板内形成数个P型分离区域以提供隔离特性;一第一薄闸氧化层与一第一厚场氧化层,形成于该P型基板上;一第一闸极,置放于该第一薄闸氧化层之上,用以控制该第一通道内的电流量;一矽氧化绝缘层,覆盖于该第一闸极与该第一厚场氧化层上;一第一汲极金属接点,具有一第一金属电极与该第一汲极扩散区相连接;以及一第一源极金属接点,具有一第二金属电极连接至该第一接点扩散区与该第一源极扩散区。2.如申请专利范围1所述之高压P型金氧半场效电晶体,位于该第一N型井内之该第一P型区域可为P型井制程。3.如申请专利范围1所述之高压P型金氧半场效电晶体,位于该第一N型井内之该第一P型区域可为P型基体制程。4.一高压N型金氧半场效电晶体,包括有:一P型基板;一具有N型导电离子之第二N型扩散区,于该P型基板内形成一第二N型井;一具有P型导电离子之第二P型扩散区,于该第二N型井内形成一第二P型区域;一具有N+型导电离子之第二汲极扩散区,于该第二N型扩散区内形成一第二汲极区域;一具有N+型导电离子之第二源极扩散区形成一第二源极区域,其中一第二通道于该第二源极区域与该第二汲极区域间形成;一具有P+型导电离子之第二接点扩散区形成一第二接点区域,其中该第二P型区域将该第二源极区域与该第二接点区域包围起;具有P型导电离子之数个分离的P型扩散区,在该P型基板内形成数个P型分离区域以提供隔离特性;一第二薄闸氧化层与一第二厚场氧化层,形成于该P型基板上;一第二闸极,置放于该第二薄闸氧化层之上,用以控制该第二通道内的电流量;一矽氧化绝缘层,覆盖于该第二闸极与该第二厚场氧化层上;一第二汲极金属接点,具有一第三金属电极与该第二汲极扩散区相连接;以及一第二源极金属接点,具有一第四金属电极连接至该第二接点扩散区与该第二源极扩散区。5.如申请专利范围4所述之该高压N型金氧半场效电晶体,位于该第二N型井内之该第二P型区域可为P型井制程。6.如申请专利范围4所述之该高压N型金氧半场效电晶体,位于该第二N型井内之该第二P型区域可为P型基体制程。图式简单说明:图一A系绘示一N型金氧半场效电晶体。图一B系绘示一P型金氧半场效电晶体。图二A系为传统高压金氧半场效电晶体元件之区域示意俯视图。图二B系为本创作之高压金氧半场效电晶体元件之区域示意俯视图。图三A系为传统高压金氧半场效电晶体元件之剖面图。图三B系为本创作之高压金氧半场效电晶体元件之剖面图。 |
