| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Speicherzelle für eine integrierte Halbleiterschaltung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69133395(T2) |
申请公布日期 |
2005.06.30 |
| 申请号 |
DE19916033395T |
申请日期 |
1991.11.28 |
| 申请人 |
NEC CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
TOSHIYUKI, SAKUMA;YOICHI, MIYASAKA |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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