发明名称 |
磁场诱导沉积方法制备磁性纳米间隙电极 |
摘要 |
磁场诱导取向沉积方法制备磁性纳米间隙电极,涉及一种纳米结构、纳米器件的加工技术。该方法通过磁性金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿着电极对方向的磁场同步诱导取向生长,在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙小到纳米级,实现磁性纳米间隙电极的简便低廉加工。制备的方法如下:首先,用普通光刻工艺制备出微米级或亚微米级间隙的原型电极;在原形电极表面组装双功能分子、键合引发剂,使电极表面具有催化活性;将具有催化括性的原型电极放入磁性金属或合金的化学镀溶液中,同时沿着原型电极对方向上施加一个外磁场,同步诱导磁性金属或合金在电极对尖端处优先沉积与取向生长,获得磁性纳米间隙电极。 |
申请公布号 |
CN1631766A |
申请公布日期 |
2005.06.29 |
申请号 |
CN200410065951.3 |
申请日期 |
2004.12.28 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
徐丽娜;顾宁;解胜利;黄岚 |
分类号 |
B82B3/00;H01L21/288;H01L21/445 |
主分类号 |
B82B3/00 |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
1、一种磁场诱导沉积方法制备磁性纳米间隙电极的方法,其特征在于该方法将选择性化学沉积与磁场诱导相结合,沿着电极对的方向施加一个外磁场,通过金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿着电极对方向的磁场同步诱导取向生长,在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙减小到纳米级,加工出磁性纳米间隙电极。 |
地址 |
210096江苏省南京市四牌楼2号 |