| 发明名称 | 蚀刻方法及蚀刻装置 | ||
| 摘要 | 在氧化硅膜101上形成期望图案的掩模材料层102，使用C<SUB>5</SUB>F<SUB>8</SUB>+O<SUB>2</SUB>合计流量相对于Ar流量的比率((C<SUB>5</SUB>F<SUB>8</SUB>+O<SUB>2</SUB>)/Ar)值为0.02(2％)以下的混合气体，通过等离子体蚀刻，按照掩模材料层102的图案形状，蚀刻氧化硅膜101的露出部分，在氧化硅膜101中形成近乎垂直的直角部分。由此，可以抑制微沟槽的产生，可以精度良好地进行期望形状的蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1628375A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN03803389.5 | 申请日期 | 2003.02.03 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 胜沼隆幸 |
| 分类号 | H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;邸万杰 |
| 主权项 | 1.一种蚀刻方法，使用含有含碳和氟的气体、氧气及不活泼性气体的混合气体、按照掩模材料的图案形状蚀刻含硅氧化物，其特征在于：含碳和氟的气体流量与氧气流量的合计流量相对于不活泼性气体流量的比率((含碳和氟的气体流量+氧气流量)/不活泼性气体流量)为0.02以下，通过蚀刻，在含硅氧化物中形成近乎垂直的直角部分。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||