发明名称 内混式二段雾化装置
摘要 本发明系为一种内混式二段雾化装置,尤指一种能够达到低气液质量比、喷雾锥角大及雾化后金属颗粒变小为诉求之雾化装置设计。该雾化装置为一密闭之机构,于其顶面对应连设一可供液态金属导引进入雾化装置之中心主流道,而于该雾化装置之左、右两侧系设有可供气体(如:氮、氢、氩等气体)导引进入之气体支流道,于雾化装置之混合腔内设置有一分离器,该分离器系对应设置于中心主流道之出口下方,而雾化装置设置中心主流道之对应面系设有一喷嘴结构,该喷嘴结构系与分离器、中心主流道设置于同一中心轴线上,藉以使金属之颗粒细微化至10μm左右,甚至可更细小(约05 μm以下)为目的,以利于现今高科技产业中晶圆封装加工作业者及微奈米科技业者之需要。
申请公布号 TWI233839 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW092108516 申请日期 2003.04.14
申请人 国立成功大学 发明人 王觉宽;林天柱;赖等参
分类号 B05B1/00 主分类号 B05B1/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种内混式二段雾化装置,该雾化装置为一密闭之机构,于其顶面对应连设一可供液态金属导引进入雾化装置之主流道,而于该雾化装置之左、右两侧系设有可供气体(如:氮、氢、氩等气体)导引进入雾化装置之支流道,于雾化装置内部主流道之下方系设有一分离器,而该雾化装置底面系设置一喷嘴结构,该喷嘴结构系与分离器、主流道设置于同一垂直线上。2.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该喷嘴系为一漏斗状之设计。3.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该喷嘴出口之断面系可为矩形、菱形或圆形之设计。4.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该分离器之设计主要系以提供雾化装置中流体流动的速度、流场及流动方向的改变,以提高雾化的效果。5.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该分离器系可为三角柱体、圆锥体、四方柱体或菱形状体等设计。6.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该分离器主要系以立体块体为设计,可对应使液态金属于雾化过程对应撞击到此分离器,使雾化后的金属颗粒为更细微之单位。7.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该雾化装置混合腔底面对应锁固一窄化结构,该窄化结构内部系形成一混合腔,该混合腔之内壁系形成多角度的倾斜面,而该窄化结构混合腔内亦设有一分离器,该分离器之正下方系设置一出口;而该分离器所设置之位置系对应于雾化装置之喷嘴结构正下方,该分离器、出口系与雾化装置中的喷嘴结构、分离器及中心主流道设置于同一中心轴线上。8.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该雾化装置混合腔底面系可对应设置一收集槽,于收集槽一侧设有一侧风装置,该收集槽系为一上宽下窄的漏斗状设计,该收集槽底部接设有一回收管路,该回收管路对应连通一加热器后并与中心主流道连接者。9.如申请专利范围第1项所述之内混式二段雾化装置,其中:该收集槽之回收管路系可为双排管道之设计。图式简单说明:第一图 系本发明内混式二段雾化装置之示意图。第二图 系本发明内混式二段雾化装置中之喷嘴结构截面示意图。第三图 系本发明内混式二段雾化装置中之分离器结构示意图。第四图 系本发明内混式二段雾化装置中之另一使用实施例。第五图 系本发明内混式二段雾化装置中之又一使用实施例(一)。第六图 系本发明内混式二段雾化装置中之又一使用实施例(二)。
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