发明名称 |
制造晶体管和使用该晶体管的图像显示设备的方法 |
摘要 |
一种用于制造晶体管的方法,包括:在衬底上形成半导体层;在半导体层上形成第一绝缘膜;在第一绝缘膜上形成栅电极。本方法还包括:在半导体层中形成源极区域、沟道区域和漏极区域;在栅电极上形成第二绝缘膜。在第二绝缘膜上形成源电极和漏电极,并且分别耦合至源极区域和漏极区域。本方法还包括:通过接触孔将漏电极耦合至栅电极,该接触孔垂直地处于沟道区域的上方。 |
申请公布号 |
CN1624886A |
申请公布日期 |
2005.06.08 |
申请号 |
CN200410095345.6 |
申请日期 |
2004.11.24 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
金男;李乙浩 |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;G09G3/38;H05B33/00 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
1.一种用于制造晶体管的方法,包括:在衬底上形成半导体层;在所述半导体层上形成第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上形成栅电极;在所述半导体层中形成源极区域、沟道区域和漏极区域;在所述栅电极上形成第二绝缘膜;在所述第二绝缘膜上形成源电极和漏电极,以通过所述第一和第二绝缘膜进行发射,从而所述源电极和所述漏电极分别耦合至所述源极区域和所述漏极区域;以及通过所述第二绝缘膜中的接触孔将所述漏电极耦合至所述栅电极,其中所述接触孔形成在所述沟道区域上方。 |
地址 |
韩国京畿道 |