| 发明名称 |
METHOD OF FORMING DIFFUSION BARRIER OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING AMORPHOUS TITANIUM NITRIDE LAYER FOR IMPROVING CHARACTERISTICS OF BARRIER METAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100494320(B1) |
申请公布日期 |
2005.05.31 |
| 申请号 |
KR19970079297 |
申请日期 |
1997.12.30 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
KIM, CHANG YEONG;KWAK, NO JEONG |
| 分类号 |
H01L21/08;(IPC1-7):H01L21/08 |
主分类号 |
H01L21/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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